![](/uploads/image/epui20170303/148853599591d1d0fdacacd0c3.jpg)
-
gde c200系列单片刻蚀机是应用于gan和sic功率器件领域的介质刻蚀设备,适用8英寸及以下晶圆。
-
gse系列刻蚀机是应用于8英寸及以下iii-v族半导体、失效分析和研发等领域多种材料刻蚀工艺的干法刻蚀机。
-
广泛应用在功率器件产业,用于igbt、mosfet及super junction中的deep trench刻蚀
![](/uploads/image/epui20170303/1488536029cde5719887177df4.jpg)
-
应用于集成电路、功率器件、mems等领域的8寸pvd磁控溅射设备
-
应用于先进封装、集成电路、功率器件、mems、led等领域的8寸pvd磁控溅射设备
![](/uploads/image/epui20170303/14885360113bd54e70ea82227b.jpg)
-
广泛应用在高附加价值微电子产业,用于sixny(含低应力)、sio2、poly-si等薄膜淀积,满足多种高端成膜需求。
-
epee550 是应用于led、power、mems等领域氧化硅sio2、氮化硅sinx、氮氧化硅sion薄膜沉积的pecvd设备。
-
aps系列sic晶体生长系统,是实现高质量sic晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。
-
theoris 302 / flouris 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业lpcvd炉管设备。
-
esther 200是兼容6/8英寸,可实现常压和减压硅外延工艺的专业设备。
![](/uploads/image/epui20170303/148853604631ff8c6827f94b88.jpg)
-
theoris 302/flouris 201 立式氧化炉是应用广泛、性能优良、产能突出的氧化成膜设备。
-
theoris 302/flouris 201 立式退火炉是在中低温条件下,通入惰性气体(n2),优化硅片界面质量的一种设备。
-
theoris 302 /flouris 201 低压化学气相沉积系统是高性能、高产能、低维护成本的专业lpcvd炉管设备。
-
theoris 302/flouris 201 立式合金炉是在低温条件下,通入惰性或还原性气体(n2/h2),优化硅片表面的一种设备。
-
广泛应用在高附加价值微电子产业,用于sixny(含低应力)、sio2、poly-si等薄膜淀积,满足多种高端成膜需求。
-
卧式扩散/氧化系统可满足扩散、干/湿氧氧化、退火、合金等多工艺需求,广泛用于ic、power、pv、mems、led等领域。
![](/uploads/image/epui20170303/14885360658cb2b6fc99e5ff92.jpg)
-
全自动槽式清洗机采用模块化设计,设备产能高,占地面积小。
-
全自动湿法腐蚀设备搭载多种先进干燥技术,可实现晶片干进干出。
-
手动槽式清洗机功能灵活,配置丰富,操作界面友好,应用广泛。
-
手动湿法腐蚀设备尺寸兼容性好,设备稳定性高,腐蚀均匀性好。
![](/uploads/image/epui20170303/1488536085f8207e2db3ee838d.jpg)
-
超净工作台是种通用型局部净化设备,可提供局部百级洁净工作环境
-
用于对硅片或其他工件表面进行刻蚀或清洗工艺的需求
![](/uploads/image/epui20170303/148853949564a8cc394c41ced9.jpg)
-
cs100系列产品采用客户定制化设计并独创零点补偿功能,更好的适应客户环境。
-
cs200系列是可满足半导体、光伏、真空镀膜高端客户的数字式流量测控产品。
-
流量显示仪/积算仪是为测控产品提供工作电源、操作控制等的显示仪表。
![](/uploads/image/epui20190808/1565250145094c201d6eb50765.jpg)
-
设备满足科研院所及大专院校对原子层沉积工艺要求;可根据客户需求量身定制硬件升级方案。