semiconductor
horis l6371 多功能 lpcvd horis l6371 multifunction lpcvd
horis l6371 多功能 lpcvd是用加热的方式,在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并淀积形成稳定固体薄膜,可应用于淀积sixny(含低应力)、sio2(lto、teos)、poly-si等多种薄膜。
与传统方式对比,horis l6371 多功能 lpcvd设备通过气路、腔体结构设计,配合相应的工艺配方,成功实现了薄膜应力在较大范围内可控制,解决了由于薄膜应力存在,引起的变形、光学和力学性能改变的问题;特殊设计的过滤系统,解决了传统腔体和器件易受污染的问题,使之具有良好的洁净度,改善产品的电性能和良率;具备良好的薄膜工艺均匀性、重复性;设备系统易于维护;具有丰富行业经验和成熟的配套工艺,可满足客户对多种薄膜淀积工艺需求。
应用领域:
集成电路 ic、微机电系统 mems、功率器件 power
适用工艺:
二氧化硅(lto、teos)、氮化硅(si3n4(含低应力))、多晶硅(lp-poly)、磷硅玻璃(bsg)、硼磷硅玻璃(bpsg)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜