北方华创助力先进封装产业腾飞 -尊龙官方平台

2024-04-19

在ai革新的浪潮中,我们见证了从语言对话到图像及短视频生成的探索与应用,ai不断衍生的应用场景,正成为驱动ai大模型技术迭代和产业增长的重要力量。受应用场景驱动影响,ai需要更高性能的芯片来满足数据资源的计算、传感、存储、通讯、安全等需求,集成电路技术拥有巨大的创新空间。



  近年,芯片三维集成技术发展迅猛,三维集成的方式能有效地提高芯片整体性能和良率,高带宽存储hbm[1]和cowos[2]先进封装技术被广泛应用并加速发展,拉动集成电路装备产业高质量发展。


  北方华创深耕集成电路装备产业二十余载,可为先进封装领域客户提供tsv(硅通孔)制造、正面制程-大马士革工艺、背面制程-露铜刻蚀和rdl(再布线层)工艺的全面尊龙官方平台的解决方案,涉及刻蚀、薄膜、炉管、清洗四大类二十余款装备工艺尊龙官方平台的解决方案。


  在刻蚀装备工艺尊龙官方平台的解决方案中,北方华创pse v300设备在tsv工艺中采用快速气体和射频切换控制系统结合的方式,在高深宽比深硅刻蚀中精准控制侧壁形貌,实现侧壁无损伤和线宽无损伤,刻蚀均匀性、选择比更佳;采用每腔单片设计,具有更好的气流场均匀性和真圆度工艺表现;通过优化机台晶圆边缘保护装置,提高产品良率;在2.5d[3]工艺中,北方华创提供可满足bvr(背面通孔暴露)和bfr(背面平整暴露)不同工艺需求的刻蚀工艺尊龙官方平台的解决方案;北方华创hse d300设备在plasma dicing(等离子体切割)工艺中针对小芯片制造具有高刻蚀速率和高深宽比能力优势,具有多种uv膜[4]的冷却方式,保证uv膜的延展性,实现高质量的芯片切割;bmd p300设备作为封装领域descum(去残胶)的主力产品,在bumping(凸点工艺)、fan out(扇出封装)、2.5d&3d应用中的残留光刻胶去除、残余金属去除、表面活化等工艺方面,为客户提供descum尊龙官方平台的解决方案。


  在薄膜沉积装备工艺尊龙官方平台的解决方案中,北方华创采用peald(等离子体增强原子层沉积)方式沉积二氧化硅保护层,可实现更好的侧壁形貌和底层覆盖率;在tsv barrier/seed deposition(阻挡层/种子层沉积)工艺中采用pvd(物理气相沉积)设备尊龙官方平台的解决方案,能满足金属扩散阻挡层/种子层的膜厚、均匀性、粘附性要求,防止金属扩散,确保器件电学性能、结构完整性和工艺兼容性。


  在炉管装备工艺尊龙官方平台的解决方案中,北方华创设备在tsv工艺的退火环节中通过出色的温度控制能力和工艺表现,实现铜的晶粒分布更加均匀,降低电阻率,提高tsv的制造质量和性能。


  在清洗装备工艺尊龙官方平台的解决方案中,北方华创设备在tsv工艺中可实现水溶性化学物质的结合,有效去除侧壁聚合物,确保深孔内壁清洁;在2.5d工艺中可降低铜的腐蚀率,提高化学品应用效率,实现更高的经济效益。


  北方华创面向先进封装领域提供多种核心工艺设备尊龙官方平台的解决方案,始终坚持以客户需求为导向,助力客户开拓创新,推动产业进步,创造无限可能。


  [1] ai对算力与存力的需求大幅提升,需要巨大的内存带宽。

  [2] ai芯片训练和推理需要在内存和处理器之间传输大量数据,cowos则可将多个芯片堆叠在一起实现高度集成,提升芯片之间的通信效率。

  [3]2.5d工艺是一种先进的封装技术,通过在硅片的背面形成tsv(硅通孔)和rdl(再布线层)来实现不同芯片或芯片区域之间的垂直互连。

  [4] 主要用以阻隔紫外线对敏感器件或工艺过程的影响,确保半导体制造过程中的高精度与高质量。


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