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hesper to230r

12英寸单片减压原位湿法氧化系统

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hesper to230r 12英寸单片减压原位湿法氧化系统
hesper to230r 12 inch single wafer reduced pressure in situ steam generation system
hesper to230r 12英寸单片减压原位湿法氧化系统适用于集成电路、功率半导体、衬底材料、科研等领域,单腔或多腔多种设计,可满足不同客户需求,低拥有成本和低运营成本。
设备特点
  • 16区加热设计, 温场均匀性优
  • 单腔/多腔多种设计,可满足不同客户需求
  • 低拥有成本、低运营成本
  • 友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效
产品应用
  • 晶圆尺寸
    12英寸
  • 适用材料
    二氧化硅
  • 适用工艺
    湿法氧化、减压spike
  • 适用领域
    集成电路、功率半导体、衬底材料、科研领域
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