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nvt-hg2200-v1

单晶炉

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nvt-hg2200-v1 单晶炉
nvt-hg2200-v1 single crystal growing furnace
nvt-hg2200-v1主要应用于伏产业8-12英寸单晶硅制备工艺,该机台具有大投料量,高拉速,低能耗,自动化、智能化的优点。系统主要由籽晶升降/旋转系统、坩埚升降/旋转系统、热屏升降系统及电控系统组成。
设备特点
  • 用于8-12英寸太阳能级单晶硅棒的生长
  • 多维度安全设计,设备长期运行更加安全稳定可靠
  • 全自动控制系统,单晶制备自动化、智能化
  • 高拉速、低能耗、低成本
技术指标
  • 晶体直径
    φ6"-φ12"
  • 主室尺寸
    φ1100×1400mm,φ1200×1500mm,φ1400×1650mm,φ1600×1900mm,φ1700×2100mm
  • 副室尺寸
    φ350×3800mm,φ350×4000mm,φ350×5000mm,φ400×5500mm,φ450×7300mm
  • 热场尺寸
    26",28",30",32",36",40",42"
  • 加热功率
    165kw 65kw,165kw 90kw,150 110kw
  • 籽晶拉速
    >1.6mm/min
  • 坩埚升速
    0.02-1mm/min
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