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半导体装备 semiconductor

epee i800

等离子体增强化学气相沉积系统

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epee i800 等离子体增强化学气相沉积系统
epee i800 pecvd system
epee i800系列主要用于6英寸及以下氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质薄膜沉积工艺,采用单腔多片自动化传输架构,兼容蓝宝石、sic、砷化镓等不同衬底规格,可广泛应用于化合物半导体、半导体照明、科研等领域。
设备特点
  • 多站式旋转沉积架构,兼具产能和均匀性优势
  • 良好的片内、片间薄膜均匀性控制
  • 全自动晶圆传输系统,高效便捷
  • 高效大功率在线清洗工艺及沉积颗粒度控制
  • 集成多项人性化软件操作功能
产品应用
  • 晶圆尺寸
    8英寸及以下
  • 适用材料
    氧化硅、氮化硅、氮氧化硅
  • 适用工艺
    氧化硅图形化衬底层、钝化保护层、绝缘层、掩摸层沉积
  • 适用领域
    化合物半导体、半导体照明、科研领域
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