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12英寸立式低压化学气相沉积高温氧化硅炉

theoris ho302d 12英寸立式低压化学气相沉积高温氧化硅炉

theoris ho302d 12 inch vertical lpcvd hto furnace

theoris ho302d通过立式低压化学气相沉积方式实现12英寸晶圆表面氧化硅薄膜的沉积，占地面积小，可大批量处理12英寸晶圆。

设备特点

先进的压力控制系统
高精度温度场控制技术
先进的颗粒控制技术
优良的薄膜均匀性
先进的微环境氧含量控制技术

产品应用

晶圆尺寸
12英寸
适用材料
硅
适用工艺
二氧化硅低压化学气相淀积
适用领域
集成电路、功率半导体、硅基微型显示

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